Продукція > MICROSEMI > JANS1N5811US

JANS1N5811US Microsemi


Виробник: Microsemi

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANS1N5811US Microsemi

Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A.

Інші пропозиції JANS1N5811US

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JANS1N5811US JANS1N5811US Виробник : Microchip Technology Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
товар відсутній
JANS1N5811US JANS1N5811US Виробник : Microchip / Microsemi LDS_0168_1-1592457.pdf Rectifiers Rectifier
товар відсутній