JANS1N5811US Microchip / Microsemi
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1945.76 грн |
| 10+ | 1862.12 грн |
| 100+ | 1503.73 грн |
| 250+ | 1486.08 грн |
| 500+ | 1473.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANS1N5811US Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Qualification: MIL-PRF-19500/477.
Інші пропозиції JANS1N5811US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANS1N5811US | Виробник : Microsemi |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
JANS1N5811US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Qualification: MIL-PRF-19500/477 |
товару немає в наявності |