JANS1N5822US/TR Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/620
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANS1N5822US/TR Microchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/620.
Інші пропозиції JANS1N5822US/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANS1N5822US/TR | Виробник : Microchip / Microsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 40V Small-Signal Schottky SQ THT TR |
товару немає в наявності |