JANS2N2218A Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT
Qualification: MIL-PRF-19500/251
Grade: Military
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANS2N2218A Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT, Qualification: MIL-PRF-19500/251, Grade: Military, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції JANS2N2218A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANS2N2218A | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANS2N2218A |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.