JANS2N2906AL Microchip Technology


MIL-PRF-19500_291Y_wAmendment1_7-10-19.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Grade: Military
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANS2N2906AL Microchip Technology

Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Qualification: MIL-PRF-19500/291, Grade: Military, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA).

Інші пропозиції JANS2N2906AL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JANS2N2906AL Microchip Technology LDS_0059-1593948.pdf Bipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AL LDS_0059-1593948.pdf
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.