Технічний опис JANS2N3637L Microsemi
Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA, Qualification: MIL-PRF-19500/357, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-5AA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції JANS2N3637L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANS2N3637L | Microchip Technology |
 Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5AAQualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANS2N3637L | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Long-Lead Small-Signal BJT THT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| JANS2N3637L | Semicoa Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 140V 1A 3-Pin TO-5 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | |
| JANS2N3637L | Microsemi |
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANS2N3637L |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-5AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-5AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| JANS2N3637L |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Long-Lead Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Long-Lead Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JANS2N3637L |
|
Виробник: Semicoa Semiconductors
Trans GP BJT PNP 140V 1A 3-Pin TO-5
Trans GP BJT PNP 140V 1A 3-Pin TO-5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.
| JANS2N3637L |
|
Виробник: Microsemi
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.