JANSD2N3810 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: DUAL RH SMALL-SIGNAL BJT
Supplier Device Package: TO-78-6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANSD2N3810 Microchip Technology
Description: DUAL RH SMALL-SIGNAL BJT, Supplier Device Package: TO-78-6, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Power - Max: 350mW, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: 2 PNP (Dual), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-78-6 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції JANSD2N3810
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANSD2N3810 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Dual RH Small-Signal BJT THT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3810 |
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Dual RH Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Dual RH Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.