Продукція > MICROSEMI > JANSF2N5153L

JANSF2N5153L Microsemi


lds-0131.pdf Виробник: Microsemi
RADIATION HARDENED PNP POWER SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANSF2N5153L Microsemi

Description: TRANS PNP 80V 2A TO-5AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V, Supplier Device Package: TO-5AA, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/545.

Інші пропозиції JANSF2N5153L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
JANSF2N5153L JANSF2N5153L Виробник : Microchip Technology lds-0131.pdf Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSF2N5153L JANSF2N5153L Виробник : Microchip Technology lds-0131.pdf Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSF2N5153L JANSF2N5153L Виробник : Microchip Technology Description: TRANS PNP 80V 2A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/545
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSF2N5153L Виробник : Microchip / Microsemi Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.