JANSR2N2906AUB Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Grade: Military
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANSR2N2906AUB Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: UB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Packaging: Bulk, Qualification: MIL-PRF-19500/291, Grade: Military, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP.
Інші пропозиції JANSR2N2906AUB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANSR2N2906AUB | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSR2N2906AUB |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.