Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > JANSR2N3439
JANSR2N3439

JANSR2N3439 Microchip Technology

LDS-0134_2N3439-40%28L%29%28UA%29%28RADHARD%29.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANSR2N3439 Microchip Technology

Description: TRANS NPN 350V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/368.

Інші пропозиції JANSR2N3439

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
JANSR2N3439 Microchip / Microsemi LDS_0134_2N3439_40_L_UA_RADHARD.pdf Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW RH Power BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3439 MICROCHIP TECHNOLOGY LDS-0134_2N3439-40%28L%29%28UA%29%28RADHARD%29.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 800mW; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 1A
Case: TO39
Mounting: THT
Power dissipation: 0.8W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3439 LDS_0134_2N3439_40_L_UA_RADHARD.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW RH Power BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3439 LDS-0134_2N3439-40%28L%29%28UA%29%28RADHARD%29.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 800mW; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 1A
Case: TO39
Mounting: THT
Power dissipation: 0.8W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.