Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > JANSR2N3439UA

JANSR2N3439UA Microchip Technology


Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A UA
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: UA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANSR2N3439UA Microchip Technology

Description: TRANS NPN 350V 1A UA, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: UA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції JANSR2N3439UA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JANSR2N3439UA Microchip / Microsemi LDS_0134_2N3439_40_L__UA__RADHARD_-3442669.pdf Bipolar Transistors - BJT 350 V RH Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3439UA Microchip Technology Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3439UA LDS_0134_2N3439_40_L__UA__RADHARD_-3442669.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 350 V RH Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3439UA
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.