Технічний опис JANTX1N1184 IR
Description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-5, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 110 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.
Інші пропозиції JANTX1N1184
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX1N1184 | Виробник : Microsemi |
 Diode Switching 100V 35A 2-Pin DO-5 Tray |
товар відсутній |
||
 |
JANTX1N1184 | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 100V 35A 2-Pin DO-5 Tray |
товар відсутній |
|
 |
JANTX1N1184 | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 100V 35A 2-Pin DO-5 Tray |
товар відсутній |
|
 |
JANTX1N1184 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 110 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товар відсутній |
|
 |
JANTX1N1184 | Виробник : Microchip / Microsemi |
Rectifiers Rectifier |
товар відсутній |