Технічний опис JANTX1N3766 IR
Description: DIODE GEN PURP 800V 35A DO5, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-5, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 500 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Інші пропозиції JANTX1N3766
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N3766 | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 800V 35A 2-Pin DO-5 Tray |
товару немає в наявності |
|
| JANTX1N3766 | Виробник : Microsemi |
Rectifier Diode Switching 800V 35A 2-Pin DO-5 Tray |
товару немає в наявності |
||
 |
JANTX1N3766 | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 800V 35A 2-Pin DO-5 Tray |
товару немає в наявності |
|
| JANTX1N3766 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 800V 35A DO5 Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 500 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
||
 |
JANTX1N3766 | Виробник : Microchip / Microsemi |
Rectifiers Rectifier |
товару немає в наявності |