JANTX1N5416US MICROSEMI
Виробник: MICROSEMI
B_SQ_MELF/FAST RECOVERY GLASS RECTIFIER (100-500NS) 1N5416
кількість в упаковці: 1 шт
B_SQ_MELF/FAST RECOVERY GLASS RECTIFIER (100-500NS) 1N5416
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX1N5416US MICROSEMI
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V, Qualification: MIL-PRF-19500/411.
Інші пропозиції JANTX1N5416US
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
JANTX1N5416US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/411 |
товар відсутній |
||
JANTX1N5416US | Виробник : Microchip / Microsemi | Rectifiers Rectifier |
товар відсутній |