JANTX1N5417US Microchip / Microsemi
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 809.13 грн |
| 100+ | 741.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX1N5417US Microchip / Microsemi
Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V, Qualification: MIL-PRF-19500/411.
Інші пропозиції JANTX1N5417US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N5417US | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 200V 3A 150ns 2-Pin E-MELF Bag |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
JANTX1N5417US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: MIL-PRF-19500/411 |
товару немає в наявності |