JANTX1N5418US Microchip / Microsemi


mscos04724-1.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Rectifiers 440V 3A UFR,FRR SQ SMT
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+734.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX1N5418US Microchip / Microsemi

Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B, Qualification: MIL-PRF-19500/411, Grade: Military, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: D-5B, Current - Average Rectified (Io): 3A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SQ-MELF, E, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції JANTX1N5418US

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JANTX1N5418US MICROSEMI 11075-lds-0231-1-datasheet D-5B/3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 1N5418
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX1N5418US JANTX1N5418US Microchip Technology 11075-lds-0231-1-datasheet Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B
Qualification: MIL-PRF-19500/411
Grade: Military
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX1N5418US 11075-lds-0231-1-datasheet
Виробник: MICROSEMI
D-5B/3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 1N5418
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX1N5418US 11075-lds-0231-1-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B
Qualification: MIL-PRF-19500/411
Grade: Military
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.