JANTX1N5550 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 5A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/420
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX1N5550 Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 5A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/420.
Інші пропозиції JANTX1N5550
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX1N5550 | Semtech |
3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE POWER DISCR 1N5550 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |