Технічний опис JANTX1N5552 Semtech
Description: DIODE STANDARD 600V 5A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/420.
Інші пропозиції JANTX1N5552
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX1N5552 | Виробник : Semtech |
 Diode Switching 600V 5A 2-Pin Case G-4 Bulk/T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
JANTX1N5552 | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 600V 5A 2-Pin Case E Bag |
товару немає в наявності |
|
| JANTX1N5552 | Виробник : MICROSEMI |
EStandard Rectifier (trr more than 500ns) 1N5552 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| JANTX1N5552 | Виробник : Semtech |
MIL 3A STANDARD RECT POWER DISCR 1N5552 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
JANTX1N5552 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 600V 5A B AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/420 |
товару немає в наявності |
|
 |
JANTX1N5552 | Виробник : Microchip / Microsemi |
Rectifiers 660V 3A Std Rectifier THT |
товару немає в наявності |