на замовлення 39 шт:
термін постачання 226-235 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 971.93 грн |
| 10+ | 885.29 грн |
| 25+ | 739.19 грн |
| 100+ | 559.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX1N5614US Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V, Qualification: MIL-PRF-19500/437.
Інші пропозиції JANTX1N5614US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N5614US | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 200V 1A 2000ns 2-Pin A-MELF Bag |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| JANTX1N5614US | Виробник : Microsemi |
Rectifiers Std Rectifier |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
| JANTX1N5614US | Виробник : MICROSEMI |
D-5A/1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1N5614 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
JANTX1N5614US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V Qualification: MIL-PRF-19500/437 |
товар відсутній |