Технічний опис JANTX1N5623 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 500 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 12V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1000 V, Qualification: MIL-PRF-19500/429.
Інші пропозиції JANTX1N5623
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX1N5623 | Виробник : MICROSEMI |
 A/FAST RECOVERY GLASS RECTIFIER (100-500NS) 1N5623кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| JANTX1N5623 | Виробник : Semtech |
MIL 1A FAST RECTIFIER POWER DISCR 1N5623 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
JANTX1N5623 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 12V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1000 V Qualification: MIL-PRF-19500/429 |
товару немає в наявності |
|
 |
JANTX1N5623 | Виробник : Semtech |
ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 1A FAST 1KV HR |
товару немає в наявності |