JANTX1N5804US MICROSEMI
Виробник: MICROSEMI
A/SURFACE MOUNT VOIDELESS-HERMETICALLY-SEALED ULTA FAST RECOVERY GLASS RECT 1N5804
кількість в упаковці: 1 шт
A/SURFACE MOUNT VOIDELESS-HERMETICALLY-SEALED ULTA FAST RECOVERY GLASS RECT 1N5804
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX1N5804US MICROSEMI
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V, Qualification: MIL-PRF-19500/477.
Інші пропозиції JANTX1N5804US
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
JANTX1N5804US | Виробник : Semtech |
MIL 2.5A SUPERFAST RECT - SM, SQUARE/SQUARE POWER DISCR 1N5804 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
JANTX1N5804US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A D-5A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 |
товар відсутній |
||
JANTX1N5804US | Виробник : Semtech Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1.1A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.1A Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 |
товар відсутній |
||
JANTX1N5804US | Виробник : Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 1A UFR,FRR SQ SMT |
товар відсутній |