JANTX1N5806US/TR Microchip / Microsemi
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 557.89 грн |
| 424+ | 511.00 грн |
| 4982+ | 443.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX1N5806US/TR Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/477.
Інші пропозиції JANTX1N5806US/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX1N5806US/TR | Виробник : Microsemi |
 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
JANTX1N5806US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/477 |
товару немає в наявності |