
JANTX1N5811 Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/477
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 522.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX1N5811 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V, Qualification: MIL-PRF-19500/477.
Інші пропозиції JANTX1N5811 за ціною від 447.01 грн до 562.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
JANTX1N5811 | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
JANTX1N5811 | Виробник : MICROSEMI |
![]() ![]() кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
JANTX1N5811 | Виробник : Semtech |
![]() ![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
JANTX1N5811 | Виробник : Semtech Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 |
товару немає в наявності |