Технічний опис JANTX1N5811US Microchip / Microsemi
Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V, Qualification: MIL-PRF-19500/477.
Інші пропозиції JANTX1N5811US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX1N5811US | MICROSEMI |
MELF/VOIDLESS - HERMETICALLY- SEALED ULTRAFAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5811кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| JANTX1N5811US |
![]() |
Виробник: MICROSEMI
MELF/VOIDLESS - HERMETICALLY- SEALED ULTRAFAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5811
кількість в упаковці: 1 шт
MELF/VOIDLESS - HERMETICALLY- SEALED ULTRAFAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5811
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



