JANTX1N6474US

JANTX1N6474US Microchip Technology


sd51a.pdf Виробник: Microchip Technology
TVS Diode Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW 2-Pin G-MELF Bag
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX1N6474US Microchip Technology

Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, G, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 181A (8/20µs), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V, Supplier Device Package: G-MELF (D-5C), Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 33V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/552.

Інші пропозиції JANTX1N6474US

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
JANTX1N6474US Виробник : MICROSEMI 11067-sd51a-datasheet G_SQ._MELFTRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX1N6474US JANTX1N6474US Виробник : Microchip Technology 11067-sd51a-datasheet Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, G
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 181A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V
Supplier Device Package: G-MELF (D-5C)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/552
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX1N6474US JANTX1N6474US Виробник : Microchip / Microsemi 1N6469_1N6476-3442293.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 33V Uni-Directional TVS SQ SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.