на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1109.78 грн |
| 10+ | 1085.46 грн |
| 25+ | 941.67 грн |
| 100+ | 917.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX1N6620US Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 220V 2A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 220 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 220 V.
Інші пропозиції JANTX1N6620US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX1N6620US | Виробник : MICROSEMI |
 A_SQ._MELF 1N6620кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
JANTX1N6620US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 220V 2A D-5A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 220 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 220 V |
товару немає в наявності |