JANTX1N6622US MICROSEMI
Виробник: MICROSEMI
A_SQ._MELFULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N6622
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX1N6622US MICROSEMI
Description: DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 660 V.
Інші пропозиції JANTX1N6622US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N6622US | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 660 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
JANTX1N6622US | Microchip / Microsemi |
Rectifiers 660V UFR,FRR SQ SMT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| JANTX1N6622US |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 660 V
Description: DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 660 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| JANTX1N6622US |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Rectifiers 660V UFR,FRR SQ SMT
Rectifiers 660V UFR,FRR SQ SMT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.