JANTX1N6622US MICROSEMI
Виробник: MICROSEMI
A_SQ._MELFULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N6622
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX1N6622US MICROSEMI
Description: DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 660 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Supplier Device Package: D-5A, Current - Average Rectified (Io): 2A, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SQ-MELF, A, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції JANTX1N6622US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N6622US | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 660 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Supplier Device Package: D-5A Current - Average Rectified (Io): 2A Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, A Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
JANTX1N6622US | Microchip / Microsemi |
Rectifiers 660V UFR,FRR SQ SMT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| JANTX1N6622US |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-5A
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, A
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-5A
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, A
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| JANTX1N6622US |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Rectifiers 660V UFR,FRR SQ SMT
Rectifiers 660V UFR,FRR SQ SMT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.