JANTX2N1613L
Виробник:
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX2N1613L
Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5AA, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/181.
Інші пропозиції JANTX2N1613L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX2N1613L | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/181 |
товару немає в наявності |
|
| JANTX2N1613L | Виробник : Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |