Jantx2N2221AUA Microsemi Corporation



Виробник: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/255
товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Jantx2N2221AUA Microsemi Corporation

Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA, Power - Max: 650 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: UA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Packaging: Bulk, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/255.

Інші пропозиції Jantx2N2221AUA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Jantx2N2221AUA Microchip / Microsemi LDS_0060-1593857.pdf Bipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jantx2N2221AUA LDS_0060-1593857.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.