Продукція > MICROSEMI > JANTX2N2484UB

JANTX2N2484UB MICROSEMI


8894-lds-0058-datasheet Виробник: MICROSEMI
UB/50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N2484
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX2N2484UB MICROSEMI

Description: TRANS NPN 60V 0.05A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 2nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: UB, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 360 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/376.

Інші пропозиції JANTX2N2484UB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JANTX2N2484UB Виробник : Semicoa Semiconductors 10prf19500ss376.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 4-Pin Case UB
товар відсутній
JANTX2N2484UB JANTX2N2484UB Виробник : Microchip Technology 8894-lds-0058-datasheet Description: TRANS NPN 60V 0.05A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/376
товар відсутній
JANTX2N2484UB Виробник : Microchip / Microsemi 8894-lds-0058-datasheet Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товар відсутній