Продукція > MICROSEMI > JANTX2N2907AUA

JANTX2N2907AUA MICROSEMI

MIL-PRF-19500_291Y_wAmendment1_7-10-19.pdf
Виробник: MICROSEMI
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR 2N2907
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX2N2907AUA MICROSEMI

Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UA, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/291.

Інші пропозиції JANTX2N2907AUA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JANTX2N2907AUA JANTX2N2907AUA Microchip Technology MIL-PRF-19500_291Y_wAmendment1_7-10-19.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N2907AUA Microchip / Microsemi 2N2906A_2N2907A_MIL_PRF_19500_291-3499782.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N2907AUA MIL-PRF-19500_291Y_wAmendment1_7-10-19.pdf
JANTX2N2907AUA
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N2907AUA 2N2906A_2N2907A_MIL_PRF_19500_291-3499782.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.