Продукція > MICROSEMI > JANTX2N2907AUB

JANTX2N2907AUB MICROSEMI

MIL-PRF-19500_291Y_wAmendment1_7-10-19.pdf

Виробник: MICROSEMI
UB/PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR 2N2907
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис JANTX2N2907AUB MICROSEMI

Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/291.

Інші пропозиції JANTX2N2907AUB

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
JANTX2N2907AUB	Виробник : Semicoa	Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
JANTX2N2907AUB	Виробник : Microchip Technology	Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
JANTX2N2907AUB	Виробник : Microchip / Microsemi	Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.