JANTX2N2920 Microchip / Microsemi


microchiptechnology_mscos10183_1-1991107.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3050.38 грн
100+2792.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX2N2920 Microchip / Microsemi

Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-78-6 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: TO-78-6, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/355.

Інші пропозиції JANTX2N2920

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
JANTX2N2920 Виробник : MOT CAN
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N2920 Виробник : MOTOROLA
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N2920 JANTX2N2920 Виробник : Microchip Technology Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.