Технічний опис JANTX2N2920 MOTOROLA
Description: NPN TRANSISTOR, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Power - Max: 350mW, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-78-6 Metal Can, Packaging: Bulk, Qualification: MIL-PRF-19500/355, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-78-6, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V.
Інші пропозиції JANTX2N2920
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N2920 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| JANTX2N2920 |
![]() |
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


