JANTX2N2920 Microchip / Microsemi
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3050.38 грн |
100+ | 2792.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX2N2920 Microchip / Microsemi
Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-78-6 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: TO-78-6, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/355.
Інші пропозиції JANTX2N2920
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
JANTX2N2920 | Виробник : MOT | CAN |
на замовлення 827 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
JANTX2N2920 | Виробник : MOTOROLA |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
![]() |
JANTX2N2920 | Виробник : Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 |
товару немає в наявності |