JANTX2N3019 Microchip / Microsemi
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 780.02 грн |
| 10+ | 766.35 грн |
| 25+ | 634.10 грн |
| 100+ | 632.63 грн |
| 250+ | 620.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX2N3019 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/391.
Інші пропозиції JANTX2N3019
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N3019 | Виробник : MICROSEMI |
 TO-5/LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR 2N3019кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
 |
JANTX2N3019 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 |
товару немає в наявності |