JANTX2N3019S Microchip / Microsemi
на замовлення 249 шт:
термін постачання 407-416 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 698.45 грн |
| 100+ | 639.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX2N3019S Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/391.
Інші пропозиції JANTX2N3019S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX2N3019S | Виробник : Semicoa |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 |
товару немає в наявності |
|
| JANTX2N3019S | Виробник : MICROSEMI |
TO-39/LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR 2N3019 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
JANTX2N3019S | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 |
товару немає в наявності |