JANTX2N3019S Microchip / Microsemi


lds_0185_4_2N3019S.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+607.73 грн
100+556.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX2N3019S Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 80V 1A TO-39, Qualification: MIL-PRF-19500/391, Grade: Military, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-39, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції JANTX2N3019S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JANTX2N3019S MICROSEMI 125195-lds-0185-4-datasheet TO-39/LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR 2N3019
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N3019S JANTX2N3019S Microchip Technology 125195-lds-0185-4-datasheet Description: TRANS NPN 80V 1A TO-39
Qualification: MIL-PRF-19500/391
Grade: Military
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N3019S 125195-lds-0185-4-datasheet
Виробник: MICROSEMI
TO-39/LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR 2N3019
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N3019S 125195-lds-0185-4-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-39
Qualification: MIL-PRF-19500/391
Grade: Military
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.