JANTX2N3439 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Grade: Military
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX2N3439 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A TO39, Qualification: MIL-PRF-19500/368, Grade: Military, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-39, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції JANTX2N3439
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX2N3439 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| JANTX2N3439 | MOTOROLA |
|
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| JANTX2N3439 |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| JANTX2N3439 |
|
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)