Технічний опис JANTX2N3499 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/366.
Інші пропозиції JANTX2N3499
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N3499 |
 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
JANTX2N3499 | Виробник : Semicoa |
Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 3-Pin TO-39 |
товару немає в наявності |
|
 |
JANTX2N3499 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 |
товару немає в наявності |