Технічний опис JANTX2N3501L MOTOROLA
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Supplier Device Package: TO-5, Qualification: MIL-PRF-19500/366, Grade: Military.
Інші пропозиції JANTX2N3501L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N3501L | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Long-Lead Small-Signal BJT |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| JANTX2N3501L |
![]() |
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Long-Lead Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Long-Lead Small-Signal BJT
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


