Продукція > MOTOROLA > JANTX2N3501L

JANTX2N3501L MOTOROLA

125198-lds-0276-1-datasheet
Виробник: MOTOROLA

на замовлення 21500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX2N3501L MOTOROLA

Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Supplier Device Package: TO-5, Qualification: MIL-PRF-19500/366, Grade: Military.

Інші пропозиції JANTX2N3501L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JANTX2N3501L Microchip Technology 125198-lds-0276-1-datasheet Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: TO-5
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Grade: Military
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N3501L Microchip / Microsemi microchiptechnology_mslws00725_1-1991207.pdf Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N3501L Microchip Technology microchiptechnology_mslws00725_1-1991207.pdf Bipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N3501L 125198-lds-0276-1-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: TO-5
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Grade: Military
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N3501L microchiptechnology_mslws00725_1-1991207.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N3501L microchiptechnology_mslws00725_1-1991207.pdf
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.