JANTX2N3501UB

JANTX2N3501UB Microchip / Microsemi


lds_0276_3-1592666.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1620.85 грн
10+ 1596.93 грн
100+ 1316.53 грн
500+ 1289.83 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX2N3501UB Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/366.

Інші пропозиції JANTX2N3501UB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JANTX2N3501UB JANTX2N3501UB Виробник : Microchip Technology lds_0276_3-1592666.pdf Bipolar Transistors - BJT BJTs
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
JANTX2N3501UB Виробник : MICROSEMI 125200-lds-0276-3-datasheet UB/NPN TRANSISTOR 2N3501
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
JANTX2N3501UB JANTX2N3501UB Виробник : Microchip Technology 125200-lds-0276-3-datasheet Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/366
товар відсутній