JANTX2N3501UB Microchip / Microsemi

Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN 3 Pin CER Small-Signal BJT
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1799.04 грн |
100+ | 1646.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX2N3501UB Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/366.
Інші пропозиції JANTX2N3501UB
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
|
JANTX2N3501UB | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
JANTX2N3501UB | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
JANTX2N3501UB | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/366 |
товару немає в наявності |