JANTX2N3507 Microchip / Microsemi


LDS_0016-2886096.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1034.35 грн
10+ 918.23 грн
25+ 781.11 грн
50+ 745.72 грн
100+ 699.66 грн
250+ 590.17 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX2N3507 Microchip / Microsemi

Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 500mA, 1V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції JANTX2N3507

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JANTX2N3507 Виробник : MOTOROLA 124336-lds-0016-datasheet
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JANTX2N3507 Виробник : Microchip Technology 124336-lds-0016-datasheet Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
JANTX2N3507 JANTX2N3507 Виробник : Semicoa 2n3507-r.pdf NPN Bipolar junction transistor 50V
товар відсутній
JANTX2N3507 JANTX2N3507 Виробник : Microchip Technology 124336-lds-0016-datasheet Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 500mA, 1V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній