Технічний опис JANTX2N3507 MOTOROLA
Description: TRANS NPN 50V 3A TO-39, Qualification: MIL-PRF-19500/349, Grade: Military, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Supplier Device Package: TO-39, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 500mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції JANTX2N3507
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N3507 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 50V 3A 1W Power BJT THT |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| JANTX2N3507 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| JANTX2N3507 |
![]() |
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 50V 3A 1W Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 50V 3A 1W Power BJT THT
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| JANTX2N3507 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


