JANTX2N3637 Microchip / Microsemi
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 969.36 грн |
| 100+ | 887.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX2N3637 Microchip / Microsemi
Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/357.
Інші пропозиції JANTX2N3637
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX2N3637 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| JANTX2N3637 | Виробник : MICROSEMI |
2N3637JANTX 2N3637 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
 |
JANTX2N3637 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 |
товару немає в наявності |