Технічний опис JANTX2N3637 Microchip / Microsemi
Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/357.
Інші пропозиції JANTX2N3637 за ціною від 722.03 грн до 807.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX2N3637 | Виробник : Microchip Technology |
 Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| JANTX2N3637 | Виробник : MICROSEMI |
2N3637JANTX 2N3637 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |