JANTX2N3700UB MICROSEMI
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX2N3700UB MICROSEMI
Description: TRANS NPN 80V 1A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/391.
Інші пропозиції JANTX2N3700UB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX2N3700UB | Виробник : Semicoa |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin UB |
товару немає в наявності |
|
 |
JANTX2N3700UB | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 |
товару немає в наявності |
|
 |
JANTX2N3700UB | Виробник : Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |