JANTX2N3740
Виробник:
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX2N3740
Description: TRANS PNP 60V 4A TO66, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Packaging: Bulk, Qualification: MIL-PRF-19500/441, Power - Max: 25 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Grade: Military, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA.
Інші пропозиції JANTX2N3740
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX2N3740 | Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 4A TO66 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/441 Power - Max: 25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Grade: Military DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| JANTX2N3740 | Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| JANTX2N3740 |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 4A TO66
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/441
Power - Max: 25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Grade: Military
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Description: TRANS PNP 60V 4A TO66
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/441
Power - Max: 25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Grade: Military
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JANTX2N3740 |
|
Виробник: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.