Продукція > MICROCHIP / MICROSEMI > JANTX2N3766

JANTX2N3766 Microchip / Microsemi

Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 60V 4A NPN Power BJT THT

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	2450.43 грн
25+	2414.58 грн
100+	1950.29 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис JANTX2N3766 Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 60V 4A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 25 W, Qualification: MIL-PRF-19500/518.

Інші пропозиції JANTX2N3766

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	JANTX2N3766	Виробник : MICROSEMI	NPN Transistor 2N3766 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	JANTX2N3766	Виробник : Microchip Technology	Description: TRANS NPN 60V 4A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 25 W Qualification: MIL-PRF-19500/518	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.