JANTX2N4150

JANTX2N4150 Microchip / Microsemi


2N4150_2N5237_2N5238_LDS_0014_MIL_PRF_19500_394-3500010.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 70 V Power BJT
на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1017.94 грн
100+931.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX2N4150 Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 70V 10A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: TO-5, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/394.

Інші пропозиції JANTX2N4150

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
JANTX2N4150 8815-lds-0014-pdf
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N4150 JANTX2N4150 Виробник : Microchip Technology lds-0014.pdf Trans GP BJT NPN 70V 10A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N4150 JANTX2N4150 Виробник : Microchip Technology 8815-lds-0014-pdf Description: TRANS NPN 70V 10A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/394
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.