Продукція > MICROCHIP / MICROSEMI > JANTX2N5339
JANTX2N5339

JANTX2N5339 Microchip / Microsemi

2N5339_MIL_PRF_19500_560.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 100V 5A 1W NPN Power BJT THT
на замовлення 132 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+709.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX2N5339 Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 100V 5A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/560.

Інші пропозиції JANTX2N5339

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
JANTX2N5339 JANTX2N5339 MACOM Technology Solutions 2N5339.pdf Description: TRANS NPN 100V 5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/560
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N5339 JANTX2N5339 Microchip Technology 8813-lds-0011-datasheet Description: TRANS NPN 100V 5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N5339 2N5339.pdf
JANTX2N5339
Виробник: MACOM Technology Solutions
Description: TRANS NPN 100V 5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/560
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N5339 8813-lds-0011-datasheet
JANTX2N5339
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 100V 5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.