JANTX2N5416

JANTX2N5416 Microchip Technology


2n5415.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag
на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX2N5416 Microchip Technology

Description: TRANS PNP 300V 1A TO-5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 750 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/485.

Інші пропозиції JANTX2N5416 за ціною від 853.65 грн до 932.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
JANTX2N5416 Виробник : Microchip / Microsemi LDS_0305_2n5415_16-3442417.pdf Bipolar Transistors - BJT 300 V Power BJT
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+932.11 грн
100+853.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N5416 Виробник : MSC 132282-lds-0305-datasheet
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N5416 Виробник : Microchip Technology 132282-lds-0305-datasheet Description: TRANS PNP 300V 1A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 750 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.