Jantx2N5416S Microchip / Microsemi
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 866.88 грн |
| 100+ | 794.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Jantx2N5416S Microchip / Microsemi
Description: TRANS PNP 300V 1A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 750 mW, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/485.
Інші пропозиції Jantx2N5416S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
Jantx2N5416S | Виробник : Microchip Technology |
 Description: TRANS PNP 300V 1A TO-39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 750 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/485 |
товару немає в наявності |