на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 694.76 грн |
| 100+ | 635.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX2N5582 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO46-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-46-3, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/423.
Інші пропозиції JANTX2N5582
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N5582 | Виробник : MOTOROLA |
 |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
JANTX2N5582 | Виробник : Semicoa |
NPN Bipolar junction transistor 50V |
товар відсутній |
|
 |
JANTX2N5582 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO46-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-46-3 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/423 |
товар відсутній |