Технічний опис JANTX2N5686 MOT
Description: TRANS NPN 80V 50A TO3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AE, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V, Supplier Device Package: TO-3, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 300 W, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/464.
Інші пропозиції JANTX2N5686
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N5686 | Виробник : MOTOROLA |
 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| JANTX2N5686 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 50A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 W Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/464 |
товар відсутній |
||
 |
JANTX2N5686 | Виробник : Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 80V 50A 300W NPN Power BJT THT |
товар відсутній |