JANTX2N6058 Microchip / Microsemi
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4842.42 грн |
| 10+ | 4772.44 грн |
| 25+ | 4149.25 грн |
| 100+ | 3854.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX2N6058 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V, Supplier Device Package: TO-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 150 W, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/502.
Інші пропозиції JANTX2N6058 за ціною від 5140.11 грн до 5140.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N6058 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 150 W Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/502 |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| JANTX2N6058 | Виробник : MOTOROLA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |